產(chǎn)品資料
日本napson2探針法擴散電阻測試儀
產(chǎn)品名稱: 日本napson2探針法擴散電阻測試儀
產(chǎn)品型號: SRS-2010
產(chǎn)品特點: 日本napson2探針法擴散電阻測試儀可以獲得樣品的深度方向上的電阻分布，外延層的厚度，PN結的深度以及載流子濃度分布。可以從幾平方毫米的區(qū)域分析幾百微米的圖案區(qū)域。根據(jù)測得的擴展電阻，使用校準曲線計算電阻
日本napson2探針法擴散電阻測試儀 的詳細介紹
日本napson2探針法擴散電阻測試儀
測量規(guī)格
測量目標
與半導體/太陽能電池相關的材料（硅，多晶硅，SiC等）
測量尺寸
*請聯(lián)系我們。
測量范圍
1-10E + 9（Ω）[擴展電阻]
施加電壓：10（mV）檢測電流：10（pA）至10（mA）
測量規(guī)格
測量目標
與半導體/太陽能電池相關的材料（硅，多晶硅，SiC等）
測量尺寸
*請聯(lián)系我們。
測量范圍
1-10E + 9（Ω）[擴展電阻]
施加電壓：10（mV）檢測電流：10（pA）至10（mA）
測量規(guī)格
測量目標
與半導體/太陽能電池相關的材料（硅，多晶硅，SiC等）
測量尺寸
*請聯(lián)系我們。
測量范圍
1-10E + 9（Ω）[擴展電阻]
施加電壓：10（mV）檢測電流：10（pA）至10（mA）
測量規(guī)格
測量目標
與半導體/太陽能電池相關的材料（硅，多晶硅，SiC等）
測量尺寸
*請聯(lián)系我們。
測量范圍
1-10E + 9（Ω）[擴展電阻]
施加電壓：10（mV）檢測電流：10（pA）至10（mA）
測量規(guī)格
測量目標
與半導體/太陽能電池相關的材料（硅，多晶硅，SiC等）
測量尺寸
*請聯(lián)系我們。
測量范圍
1-10E + 9（Ω）[擴展電阻]
施加電壓：10（mV）檢測電流：10（pA）至10（mA）
測量規(guī)格
測量目標
與半導體/太陽能電池相關的材料（硅，多晶硅，SiC等）
測量尺寸
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測量范圍
1-10E + 9（Ω）[擴展電阻]
施加電壓：10（mV）檢測電流：10（pA）至10（mA）
日本napson2探針法擴散電阻測試儀
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地址：深圳市龍崗區(qū)龍崗街道新生社區(qū)新旺路和健云谷2棟B座1002
Email：akiyama_linkkk@163.com
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QQ：909879999
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