渦流法主要用于非接觸式，可測量1E-3（1m）至1E + 4（10k）Ω/□電阻范圍。

它可用于半導體，化合物半導體，液晶和新型碳基材料等廣泛領域的測量。

渦電流測量系統(tǒng)使用電磁感應產(chǎn)生的渦電流來測量電阻。

非接觸式測量探頭單元的探頭芯（磁性材料）在兩側（上下）以一定的間隙排列。

<非接觸式測量探頭單元的結構>

●在渦流法中，按照以下步驟進行測量。

（1）當在探針芯之間施加高頻以產(chǎn)生磁通量并且插入樣本時，樣本中產(chǎn)生渦流。

（2）此時，（1）渦電流流過樣品→（2）樣品中消耗了電流，發(fā)生了功率損耗。

　→③電路中的電流成比例降低。檢測該減小的電流值。

（3）由于檢測到的電流值與樣品的電阻成反比關系，請使用此值。

　座電阻或電阻是從電流值和座電阻的校準曲線（計算公式）得出的。

　?。?計算電阻時需要樣品厚度信息）

緊湊且易于操作的手動非接觸式（渦流法）電阻測量儀

產(chǎn)品名稱：EC-80

產(chǎn)品圖片（可根據(jù)客戶要求進行各種定制）

產(chǎn)品特點

• 一種簡單的測量儀器，只需在探針之間插入樣品即可進行測量
• 在電阻/薄層電阻測量模式之間輕松切換
• 使用JOG撥盤輕松設置測量條件
• *由于探頭是固定的，因此在購買前可以從幾種探頭中選擇一種。

測量規(guī)格

測量目標

半導體/太陽能電池材料相關（硅，多晶硅，SiC等）
新材料/功能材料相關（碳納米管，DLC，石墨烯，銀納米線等）
導電薄膜相關（金屬，ITO等）
硅基外延，離子與
半導體相關的注入樣品化合物（GaAs Epi，GaN Epi，InP，Ga等）
其他（*請與我們聯(lián)系）

測量尺寸

?8英寸，或?156x156mm

測量范圍

[電阻] 1m至200Ω·cm 
（*所有探頭類型的總范圍/厚度500um）
[抗頁電阻] 10m至3kΩ / sq 
（*所有探頭類型的總范圍）

*有關每種探頭類型的測量范圍，請參閱以下內(nèi)容。
（1）低：0.01至0.5Ω/□（0.001至0.05Ω-cm）
（2）中：0.5至10Ω/□（0.05至0.5Ω-cm）
（3 ））高：10至1000Ω/□（0.5至60Ω-??cm）
（4）S-高：1000至3000Ω/□（60至200Ω-cm）

日本napson電阻測量儀EC-80