桌面級全功能小型濺射系統(tǒng)多成膜裝置

桌面級全功能小型濺射系統(tǒng)多成膜裝置

日本 Arios（アリオス）SS-DCRF301 是一臺「桌面級、雙陰極、水冷、磁控」小型濺射（Sputter）成膜系統(tǒng)，專為 實驗、試作、多材料交替鍍膜 設(shè)計，可處理 金屬、合金、氧化物、氮化物 等，目標(biāo)尺寸最大 3 英寸，腔體緊湊但保留 倒濺、傾斜、旋轉(zhuǎn)、加熱 等全功能，適合 大學(xué)、研究所、創(chuàng)業(yè)試作線 在 小批量、多配方、快速切換 場景下使用。

? 1. 系統(tǒng)概覽

表格

復(fù)制

項目規(guī)格

型號SS-DCRF301（DCRF = DC + RF 雙電源）

腔體圓柱不銹鋼 SUS304，內(nèi)徑 ?300 × H 300 mm

真空泵干泵 150 L/min + 分子泵 300 L/s（磁懸?。?/p>

極限真空< 5 × 10?? Pa（24 h 烘烤后）

濺射電源DC 0-500 W + RF 13.56 MHz 0-300 W（自動匹配器）

陰極2 × 3 英寸磁控陰極（面對面或 45° 傾斜可換）

基板臺?3 英寸，旋轉(zhuǎn) 5-30 rpm，升降 0-50 mm

加熱最高 400 °C（PID 控制，輻射加熱）

水冷陰極、腔壁、靶材全水冷，流量 5 L/min

氣體2 路 MFC（Ar、N?、O? 可選），精度 ±1 % F.S.

控制7 寸觸控 + PLC，可存 100 組 Recipe

尺寸/重量W 700 × D 650 × H 700 mm，約 80 kg

電源AC 200 V 單相 3 kW（含泵、電源、加熱）

? 2. 成膜模式

表格

復(fù)制

模式說明

DC 濺射金屬、合金靶（Cu、Al、Ti、Cr、Ni、Fe、ITO）

RF 濺射氧化物、氮化物靶（Al?O?、SiO?、TiN、ZnO）

反應(yīng)濺射Ar + O?/N? → 氧化物/氮化物膜（TiO?、AlN、SiN）

交替多層雙靶自動切換，周期 1 nm – 1 µm 可設(shè)

傾斜濺射基板臺 0-90° 傾斜，實現(xiàn) 陰影鍍、納米柱、各向異性

旋轉(zhuǎn)鍍5-30 rpm，保證 ≤ ±2 % 厚度均勻性（3 英寸片）

? 3. 典型工藝參數(shù)（參考）

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復(fù)制

工藝靶材功率氣壓速率均勻性

Cu 膜3" Cu 靶DC 200 W0.5 Pa Ar60 nm/min±2 %

Al?O? 膜3" Al?O? 陶瓷靶RF 150 W0.4 Pa Ar+10 % O?12 nm/min±3 %

TiN 膜3" Ti 靶DC 250 W0.3 Pa Ar+20 % N?35 nm/min±2 %

? 4. 控制與自動化

7 寸彩色觸控：圖形化流程，一鍵啟動

100 組 Recipe：壓力、功率、時間、旋轉(zhuǎn)、氣體比例全可編程

自動匹配器：RF 反射功率 < 2 W，無需手動調(diào)諧

實時曲線：真空、功率、溫度、厚度（石英晶振選件）實時記錄

USB + CSV 導(dǎo)出：實驗報告直接拷貝

? 5. 選件/升級

表格

復(fù)制

選件功能

石英晶振膜厚儀分辨率 0.1 nm，閉環(huán)速率控制

基片_biasRF/DC 0-300 V，實現(xiàn) 濺射清洗/離子輔助

load-lock 小室5 片 3" cassette，不破主真空換樣

橢偏儀端口實時 n、k、d 監(jiān)測

OES 端口等離子體發(fā)射監(jiān)測，反應(yīng)終點判斷

? 6. 應(yīng)用案例

大學(xué)實驗室：

Cu/Al 多層膜電阻率研究

Al?O? 鈍化層 < 5 nm 工藝開發(fā)

創(chuàng)業(yè)試作線：

3" ITO 玻璃 150 nm/□ 20 Ω 小批量

TiN 硬質(zhì)涂層刀具胚片

科研：